FGH50N6S2
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FGH50N6S2 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 75A 463W TO247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
Testbedingung | 390V, 30A, 3Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 13ns/55ns |
Schaltenergie | 260µJ (on), 250µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 463 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 70 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 75 A |
Grundproduktnummer | FGH50 |
FGH50N6S2 Einzelheiten PDF [English] | FGH50N6S2 PDF - EN.pdf |
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
N-CHANNEL IGBT
1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
IC REG LINEAR
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT PT 300V 75A TO247-3
IGBT 600V 75A TO247-3
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FS4TIGBT TO247 40A 650V
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FGH50N6S2onsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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